מספר מוצר של יצרן:
IPU78CN10N G
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPU78CN10N G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 13A TO251-3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 13A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
מלאי:
12805958
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPU78CN10N G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
78mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 12µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
11 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
716 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
31W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO251-3
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
IPU78C
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000209098
IPU78CN10NG
IPU78CN10N G-DG
חבילה סטנדרטית
1,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFU3910PBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
3219
DiGi מספר חלק
IRFU3910PBF-DG
מחיר ליחידה
0.36
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFR2405TRR
MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
IPD25N06S4L30ATMA1
MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
IPP47N10S33AKSA1
MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3
